Fairchild Semiconductor FQD5N60CTM_WS
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FQD5N60CTM_WS
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 2.8A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQD5N60CTM_WS 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 532.75640
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQD5N60CTM_WS, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQD5N60CTM_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N60CTM_WS, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQD5N60CTM_WS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQD5N60CTM_WS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQD5N60CTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQD5N60C, FQU5N60C | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FQD5N60CTM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQD5N60CTM_WS | |
| 관련 링크 | FQD5N6, FQD5N60CTM_WS Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQD5N60CTM_WS 의 관련 제품
.jpg) | 600S470GT250XT | 47pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S470GT250XT.pdf | |
.jpg) | ECJ-3VB1H104K | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | ECJ-3VB1H104K.pdf | |
 | T322E336K035AT | 33µF Molded Tantalum Capacitors 35V Axial 1 Ohm 0.280" Dia x 0.530" L (7.11mm x 13.46mm) | T322E336K035AT.pdf | |
 | SIT1602AI-12-33E-18.432000E | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT1602AI-12-33E-18.432000E.pdf | |
 | CDRH8D43NP-6R8NC | 6.8µH Shielded Inductor 3.9A 25 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D43NP-6R8NC.pdf | |
 | EL3H7(F)(EB)-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(F)(EB)-VG.pdf | |
.jpg) | CRGH0603F90K9 | RES SMD 90.9K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F90K9.pdf | |
.jpg) | RT0805CRC07536KL | RES SMD 536K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC07536KL.pdf | |
 | 90J10KE | RES 10K OHM 11W 5% AXIAL | 90J10KE.pdf | |
 | CMF552R7000FKEK | RES 2.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552R7000FKEK.pdf | |
| CMF55104R00BEEK | RES 104 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55104R00BEEK.pdf | |
 | MAX2121ETI+ | RF IC Tuner L-Band 925MHz ~ 2.175GHz Direct Conversion 28-TQFN (5x5) | MAX2121ETI+.pdf |
