창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQI4N80TU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQB4N80, FQI4N80 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.95A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQI4N80TU | |
관련 링크 | FQI4, FQI4N80TU Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
DXJ-5R5H224U | 220mF Supercap 5.5V Axial, Can - Horizontal 150 Ohm 1000 Hrs @ 85°C 0.453" Dia (11.50mm) | DXJ-5R5H224U.pdf | ||
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RG3216P-2873-D-T5 | RES SMD 287K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-2873-D-T5.pdf | ||
RMCP2010FT2K10 | RES SMD 2.1K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT2K10.pdf | ||
RT2512BKE0768K1L | RES SMD 68.1K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0768K1L.pdf | ||
TNPW12104K12BEEN | RES SMD 4.12K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12104K12BEEN.pdf | ||
RG2012V-5901-W-T1 | RES SMD 5.9K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-5901-W-T1.pdf | ||
CMF55480R00FKEK | RES 480 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55480R00FKEK.pdf | ||
8173 | Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 0.625" Dia x 0.063" H (15.9mm x 1.59mm) | 8173.pdf |