창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP2N80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP2N80 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 85W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP2N80 | |
관련 링크 | FQP, FQP2N80 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | VS-HFA06TB120PBF | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC | VS-HFA06TB120PBF.pdf | |
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![]() | TNPW1206140KBEEN | RES SMD 140K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206140KBEEN.pdf | |
![]() | CRCW0603560RFKTC | RES SMD 560 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603560RFKTC.pdf | |
![]() | CMF5520K500FKEB70 | RES 20.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5520K500FKEB70.pdf | |
![]() | CMF55442R00BEEA70 | RES 442 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55442R00BEEA70.pdf | |
![]() | MICRF022YM-FS12-TR | - RF Receiver ASK, OOK 300MHz ~ 440MHz -97dBm 10 kbps PCB, Surface Mount 8-SOIC | MICRF022YM-FS12-TR.pdf |