창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP34N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP34N20 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 15.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP34N20 | |
관련 링크 | FQP3, FQP34N20 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | ASTMHTE-19.200MHZ-XK-E-T | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-19.200MHZ-XK-E-T.pdf | |
![]() | SIT1618BE-22-18E-24.000000D | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT1618BE-22-18E-24.000000D.pdf | |
![]() | VS-40HFL20S05 | DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB | VS-40HFL20S05.pdf | |
![]() | RG3216N-1202-D-T5 | RES SMD 12K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1202-D-T5.pdf | |
![]() | RT1206CRB07255RL | RES SMD 255 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07255RL.pdf | |
![]() | MBB02070C4328FRP00 | RES 4.32 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4328FRP00.pdf | |
![]() | HMC5879LS7TR | RF Amplifier IC VSAT 12GHz ~ 16GHz 18-SMT (7x7) | HMC5879LS7TR.pdf |