창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP4N90C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP4N90C, FQPF4N90C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP4N90C | |
관련 링크 | FQP4, FQP4N90C Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | 2STR2240 | TRANS PNP 40V 1.5A SOT23 | 2STR2240.pdf | |
![]() | BLM31PG391SN1L | 390 Ohm Impedance Ferrite Bead 1206 (3216 Metric) Surface Mount Power Line 2A 1 Lines 50 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM31PG391SN1L.pdf | |
![]() | 1025R-38K | 5.6µH Unshielded Molded Inductor 195mA 1.8 Ohm Max Axial | 1025R-38K.pdf | |
![]() | CMF552K0300BHRE | RES 2.03K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K0300BHRE.pdf | |
![]() | H8357RBCA | RES 357 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8357RBCA.pdf | |
![]() | 92J51R | RES 51 OHM 2.25W 5% AXIAL | 92J51R.pdf | |
![]() | F1200NBGI8 | RF Amplifier IC General Purpose 50MHz ~ 160MHz 28-VFQFPN (5x5) | F1200NBGI8.pdf | |
![]() | P51-100-G-G-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-G-I12-5V-000-000.pdf |