창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP5N60C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP5N60C, FQPF5N60C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP5N60C | |
관련 링크 | FQP5, FQP5N60C Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | RT0805DRD07150RL | RES SMD 150 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD07150RL.pdf | |
![]() | RT2512FKE07787RL | RES SMD 787 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE07787RL.pdf | |
![]() | PPN320JT-73-560R | RES 560 OHM 3.2W 5% AXIAL | PPN320JT-73-560R.pdf | |
![]() | P51-750-S-T-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-S-T-I36-4.5V-000-000.pdf |