창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP6N80C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP(F)6N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 158W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP6N80C | |
관련 링크 | FQP6, FQP6N80C Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | 2256-11L | 6.8µH Unshielded Molded Inductor 2.61A 58 mOhm Max Axial | 2256-11L.pdf | |
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![]() | AC0603FR-0753R6L | RES SMD 53.6 OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-0753R6L.pdf | |
![]() | RT0402CRE0726R1L | RES SMD 26.1OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0726R1L.pdf | |
![]() | RCP1206W82R0GET | RES SMD 82 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W82R0GET.pdf | |
![]() | SFR25H0003012FR500 | RES 30.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0003012FR500.pdf | |
![]() | MBB02070C3570FRP00 | RES 357 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3570FRP00.pdf | |
![]() | CP0005R3900JE663 | RES 0.39 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005R3900JE663.pdf | |
![]() | MS46SR-20-700-Q1-R-NO-FP | SPARE RECEIVER | MS46SR-20-700-Q1-R-NO-FP.pdf |