창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP7P06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP7P06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 410m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP7P06 | |
관련 링크 | FQP, FQP7P06 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | SDR1307A-681K | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 1 Ohm Max Nonstandard | SDR1307A-681K.pdf | |
![]() | S0603-221NH3S | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.7 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-221NH3S.pdf | |
![]() | AA1206FR-0775RL | RES SMD 75 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0775RL.pdf | |
![]() | RT0603DRD0717R8L | RES SMD 17.8 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0717R8L.pdf | |
![]() | CRCW0805121RFKTC | RES SMD 121 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805121RFKTC.pdf |