창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP8N80C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP8N80C, FQPF8N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 178W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP8N80C-ND FQP8N80CFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQP8N80C | |
관련 링크 | FQP8, FQP8N80C Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
![]() | 30D107G012CC5A | 100µF 12V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 30D107G012CC5A.pdf | |
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![]() | 8Q37470001 | 37.4MHz ±10ppm 수정 16pF -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Q37470001.pdf | |
![]() | ASGTX-C-125.000MHZ-1-T2 | 125MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 45mA | ASGTX-C-125.000MHZ-1-T2.pdf | |
![]() | RT0603BRD071K54L | RES SMD 1.54KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD071K54L.pdf | |
![]() | ESR10EZPF40R2 | RES SMD 40.2 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF40R2.pdf | |
![]() | RG1005P-2670-B-T5 | RES SMD 267 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-2670-B-T5.pdf | |
![]() | CPF0805B1K37E1 | RES SMD 1.37KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B1K37E1.pdf | |
![]() | Y14422K36500B0L | RES 2.365K OHM 1/2W 0.1% RADIAL | Y14422K36500B0L.pdf |