창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N90C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQP(F)8N90C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQPF8N90C | |
관련 링크 | FQPF, FQPF8N90C Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
![]() | CDV30FH621JO3F | MICA | CDV30FH621JO3F.pdf | |
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LQH44PN6R8MJ0L | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 860mA 172 mOhm Max Nonstandard | LQH44PN6R8MJ0L.pdf | ||
![]() | RT1206WRB0775RL | RES SMD 75 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0775RL.pdf | |
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![]() | Y4023100R000Q9R | RES SMD 100 OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y4023100R000Q9R.pdf | |
![]() | CRCW12063R90FMTA | RES SMD 3.9 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063R90FMTA.pdf | |
![]() | RNF14BAE48K1 | RES 48.1K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE48K1.pdf | |
![]() | CMF60121R00FEEK | RES 121 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60121R00FEEK.pdf | |
![]() | CA415050R00KR28 | RES 50 OHM 6W 10% AXIAL | CA415050R00KR28.pdf | |
![]() | B20J7K5E | RES 7.5K OHM 20W 5% AXIAL | B20J7K5E.pdf |