창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQS4900TF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQS4900 8-SOP Tape and Reel Data | |
PCN 설계/사양 | Device Marking Update 02/Jul/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alt. Assembly Location 03/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V, 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 650mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 20mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.1nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FQS4900TF-ND FQS4900TFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQS4900TF | |
관련 링크 | FQS4, FQS4900TF Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
C2012CH2E182J125AA | 1800pF 250V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH2E182J125AA.pdf | ||
201R07S0R7AV4T | 0.70pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 201R07S0R7AV4T.pdf | ||
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Y402318K0000T9W | RES SMD 18K OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y402318K0000T9W.pdf | ||
H432K4BZA | RES 32.4K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H432K4BZA.pdf | ||
CPCC0324R00JB32 | RES 24 OHM 3W 5% RADIAL | CPCC0324R00JB32.pdf | ||
EHF-FD1541 | RF Directional Coupler 1.8GHz ~ 2GHz 14 ± 2dB 0606 (1616 Metric) | EHF-FD1541.pdf | ||
HO 100-S | Current Sensor 100A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module, Single Pass Through | HO 100-S.pdf |