Fairchild Semiconductor FQU1N60CTU

FQU1N60CTU
제조업체 부품 번호
FQU1N60CTU
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
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내부 부품 번호EIS-FQU1N60CTU
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FQD1N60C, FQU1N60C
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11.5옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds170pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 70
다른 이름FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FQU1N60CTU
관련 링크FQU1N, FQU1N60CTU Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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