Fairchild Semiconductor FQU2N90TU_AM002
- 제조업체 부품 번호
- FQU2N90TU_AM002
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQU2N90TU_AM002 가격 및 조달
가능 수량
2194 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 383.01120
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQU2N90TU_AM002, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQU2N90TU_AM002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU2N90TU_AM002, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQU2N90TU_AM002 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQU2N90TU_AM002 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQU2N90TU_AM002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQD2N90/FQU2N90 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.2옴 @ 850mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQU2N90TU_AM002 | |
| 관련 링크 | FQU2N90, FQU2N90TU_AM002 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQU2N90TU_AM002 의 관련 제품
 | UMF1C100MDD1TP | 10µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UMF1C100MDD1TP.pdf | |
 | CBR06C159BAGAC | 1.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C159BAGAC.pdf | |
 | VJ0603D2R4BLAAC | 2.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4BLAAC.pdf | |
 | MKP385336100JF02W0 | 0.036µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP385336100JF02W0.pdf | |
 | SIT8008ACT3-30S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT8008ACT3-30S.pdf | |
 | MMSZ4706-G3-08 | DIODE ZENER 19V 500MW SOD123 | MMSZ4706-G3-08.pdf | |
 | SDR0503-562JL | 5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 38mA 72 Ohm Max Nonstandard | SDR0503-562JL.pdf | |
 | ERJ-6ENF3652V | RES SMD 36.5K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF3652V.pdf | |
 | RMCF2010FT178R | RES SMD 178 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT178R.pdf | |
.jpg) | RC2512FK-071K18L | RES SMD 1.18K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-071K18L.pdf | |
.jpg) | RT1206CRB07732KL | RES SMD 732K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07732KL.pdf | |
| CX-421-C5 | SENSOR PHOTO 300M 12-24VDC NPN | CX-421-C5.pdf |
