Fairchild Semiconductor FQU4N50TU_WS
- 제조업체 부품 번호
- FQU4N50TU_WS
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FQU4N50TU_WS 가격 및 조달
가능 수량
6180 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 425.25610
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FQU4N50TU_WS, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FQU4N50TU_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU4N50TU_WS, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FQU4N50TU_WS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FQU4N50TU_WS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQU4N50TU_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FQU4N50TU_WS | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FQU4N50TU_WS | |
| 관련 링크 | FQU4N5, FQU4N50TU_WS Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FQU4N50TU_WS 의 관련 제품
 | 227ULR2R5MEW | 220µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 750 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 227ULR2R5MEW.pdf | |
 | 18121C104MAZ2A | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121C104MAZ2A.pdf | |
 | MA-505 14.3180M-C0:ROHS | 14.318MHz ±50ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 14.3180M-C0:ROHS.pdf | |
 | SIT8208AI-8F-33E-19.66080T | OSC XO 3.3V 19.6608MHZ OE | SIT8208AI-8F-33E-19.66080T.pdf | |
 | DDZ9V1BSF-7 | DIODE ZENER 8.79V 500MW SOD323F | DDZ9V1BSF-7.pdf | |
 | 750311826 | 1.6mH Unshielded Toroidal Inductor 150mA 1.5 Ohm Max Radial | 750311826.pdf | |
 | AISC-0603F-R82J-T | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 880 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | AISC-0603F-R82J-T.pdf | |
 | RCL061210K2FKEA | RES SMD 10.2K OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL061210K2FKEA.pdf | |
 | RCL12253K24FKEG | RES SMD 3.24K OHM 2W 2512 WIDE | RCL12253K24FKEG.pdf | |
.jpg) | RT1210WRB071K1L | RES SMD 1.1K OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB071K1L.pdf | |
 | RN73C1J309RBTG | RES SMD 309 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J309RBTG.pdf | |
| P51-2000-A-O-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-O-MD-4.5OVP-000-000.pdf |
