창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FST63100M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FST6340M thru FST63100M | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 30A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | D61-3M | |
공급 장치 패키지 | D61-3M | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FST63100M | |
관련 링크 | FST6, FST63100M Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | 445A32F14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 24pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32F14M31818.pdf | |
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![]() | DF06MA-E3/45 | DIODE GPP 1A 600V 4DIP | DF06MA-E3/45.pdf | |
![]() | ERJ-L1DUF95MU | RES SMD 0.095 OHM 1% 1/2W 2010 | ERJ-L1DUF95MU.pdf | |
![]() | RG3216N-1872-B-T5 | RES SMD 18.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1872-B-T5.pdf | |
![]() | CA5075680R0KS73 | RES 680 OHM 3.75W 10% AXIAL | CA5075680R0KS73.pdf | |
![]() | E2A-M12KS04-WP-D1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M12 | E2A-M12KS04-WP-D1 2M.pdf |