GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247
- 제조업체 부품 번호
- GA05JT12-247
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- TRANS SJT 1200V 5A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GA05JT12-247 가격 및 조달
가능 수량
1162 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 12,634.40000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GA05JT12-247, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. GA05JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT12-247, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GA05JT12-247 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GA05JT12-247 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GA05JT12-247 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | GA05JT12-247 | |
| 설계 리소스 | GA05JT12-247 Spice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 5A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 106W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AB | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 1242-1185 GA05JT12247 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GA05JT12-247 | |
| 관련 링크 | GA05JT, GA05JT12-247 Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
GA05JT12-247 의 관련 제품
 | 450KXW27MEFC10X40 | 27µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 450KXW27MEFC10X40.pdf | |
 | MAL205645333E3 | 33000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 36 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | MAL205645333E3.pdf | |
 | UVZ2C471MRH | 470µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2C471MRH.pdf | |
.jpg) | CGA3E3X7S1A225K080AA | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X7S1A225K080AA.pdf | |
 | 12061C123JAT2A | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C123JAT2A.pdf | |
 | VJ0402D2R2BXXAC | 2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2BXXAC.pdf | |
 | GRM3166T1H9R0DD01D | 9pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3166T1H9R0DD01D.pdf | |
 | 403I33L40M00000 | 40MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I33L40M00000.pdf | |
 | SIT3809AC-D-33SX | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Standby | SIT3809AC-D-33SX.pdf | |
.jpg) | RHC2512FT7R68 | RES SMD 7.68 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT7R68.pdf | |
 | RN73A2A30RBTDF | RES SMD 30 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73A2A30RBTDF.pdf | |
| H4P300KFZA | RES 300K OHM 1W 1% AXIAL | H4P300KFZA.pdf |
