GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247
- 제조업체 부품 번호
- GA06JT12-247
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GA06JT12-247 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 12,028.53254
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GA06JT12-247, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. GA06JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA06JT12-247, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GA06JT12-247 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GA06JT12-247 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GA06JT12-247 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | GA06JT12-247 | |
| 설계 리소스 | GA06JT12-247 Spice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc)(90°C) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 6A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 146W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AB | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 1242-1165 GA06JT12247 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GA06JT12-247 | |
| 관련 링크 | GA06JT, GA06JT12-247 Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
GA06JT12-247 의 관련 제품
 | MAL205859152E3 | 1500µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 111 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 105°C | MAL205859152E3.pdf | |
| E37F451CPN682MFA5M | 6800µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 14 mOhm 5000 Hrs @ 85°C | E37F451CPN682MFA5M.pdf | |
| VJ0805D561JLXAT | 560pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D561JLXAT.pdf | |
 | VJ1812Y101KBPAT4X | 100pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y101KBPAT4X.pdf | |
 | 416F26022CDR | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022CDR.pdf | |
 | IRFB3307PBF | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB | IRFB3307PBF.pdf | |
 | H11A4M | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | H11A4M.pdf | |
 | MCR10ERTF16R5 | RES SMD 16.5 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF16R5.pdf | |
,-0612.jpg) | PRG3216P-1182-B-T5 | RES SMD 11.8K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-1182-B-T5.pdf | |
 | CRA06S08356K2FTA | RES ARRAY 4 RES 56.2K OHM 1206 | CRA06S08356K2FTA.pdf | |
 | NOMCT16031002DT1 | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 16SOIC | NOMCT16031002DT1.pdf | |
 | SQMW7150RJ | RES 150 OHM 7W 5% RADIAL | SQMW7150RJ.pdf |
