창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA100JT12-227 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GA100JT12-227 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 100A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 535W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1317 GA100JT12-227-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GA100JT12-227 | |
관련 링크 | GA100J, GA100JT12-227 Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | 1812SC471KATME | 470pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SC471KATME.pdf | |
![]() | VJ1210Y272JBGAT4X | 2700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y272JBGAT4X.pdf | |
![]() | 1N5636A | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13 | 1N5636A.pdf | |
![]() | 445I32C13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32C13M00000.pdf | |
![]() | 416F24025CDT | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025CDT.pdf | |
![]() | 1N5814 | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | 1N5814.pdf | |
![]() | NGB8206ANTF4G | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 | NGB8206ANTF4G.pdf | |
![]() | MCW0406MD1651BP100 | RES SMD 1.65K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD1651BP100.pdf | |
![]() | Y07345R00000C0L | RES 5 OHM 10W 0.25% RADIAL | Y07345R00000C0L.pdf | |
![]() | RPM7240-H4R | RECEIVER REMOTE CTRL 40.0KHZ TOP | RPM7240-H4R.pdf |