GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263
- 제조업체 부품 번호
- GA20JT12-263
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- TRANS SJT 1200V 45A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GA20JT12-263 가격 및 조달
가능 수량
1474 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27,293.62520
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GA20JT12-263, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. GA20JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20JT12-263, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GA20JT12-263 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GA20JT12-263 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GA20JT12-263 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | GA20JT12-263 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 20A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3091pF @ 800V | |
| 전력 - 최대 | 282W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GA20JT12-263 | |
| 관련 링크 | GA20JT, GA20JT12-263 Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
GA20JT12-263 의 관련 제품
 | 199D685X0035D2B1E3 | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 0.236" Dia (6.00mm) | 199D685X0035D2B1E3.pdf | |
 | KC2520K28.6364C10E00 | 28.6364MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5V, 3.3V 5mA Standby (Power Down) | KC2520K28.6364C10E00.pdf | |
 | 511QBB-CBAG | 170MHz ~ 212.5MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 511QBB-CBAG.pdf | |
 | RF 1B | DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL | RF 1B.pdf | |
 | BAR 90-098L4 E6327 | DIODE PIN ANTI 80V 100MA TSLP4-4 | BAR 90-098L4 E6327.pdf | |
 | BZG05C9V1-HE3-TR3 | DIODE ZENER 9.1V 1.25W DO214AC | BZG05C9V1-HE3-TR3.pdf | |
| MIXA60W1200TED | IGBT MODULE 1200V 60A | MIXA60W1200TED.pdf | |
 | 36501E30NJTDG | 30nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | 36501E30NJTDG.pdf | |
 | RNF14BAC90K9 | RES 90.9K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC90K9.pdf | |
| 40J800E | RES 800 OHM 10W 5% AXIAL | 40J800E.pdf | |
| KLI-8023-AAA-ED-AA | Photodiode | KLI-8023-AAA-ED-AA.pdf | |
| MMF002145 | EA-06-125TK-350 STRAIN GAGES (5/ | MMF002145.pdf |
