창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GBJ808-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GBJ8005 - GBJ810 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | SMA,SMB,SMC Additional Assembly Site 17/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 800V | |
전류 - DC 순방향(If) | 8A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-SIP, GBJ | |
공급 장치 패키지 | GBJ | |
표준 포장 | 15 | |
다른 이름 | GBJ808-F-ND GBJ808-FDI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GBJ808-F | |
관련 링크 | GBJ8, GBJ808-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | 199D226X9050F6B1E3 | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V Radial 0.378" Dia (9.60mm) | 199D226X9050F6B1E3.pdf | |
![]() | 445A32G13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32G13M00000.pdf | |
![]() | STD25NF20 | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | STD25NF20.pdf | |
![]() | PA4306.562NLT | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 85 mOhm Max Nonstandard | PA4306.562NLT.pdf | |
![]() | HM71-20102LFTR | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 8.4 Ohm Max Nonstandard | HM71-20102LFTR.pdf | |
![]() | MCR01MZPJ123 | RES SMD 12K OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MZPJ123.pdf | |
![]() | CRGV2512F412K | RES SMD 412K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F412K.pdf | |
![]() | RT1210DRD0723R7L | RES SMD 23.7 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0723R7L.pdf | |
![]() | TNPW0603127RBETA | RES SMD 127 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603127RBETA.pdf | |
![]() | RG1608N-221-P-T1 | RES SMD 220 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608N-221-P-T1.pdf | |
![]() | H411R3BDA | RES 11.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H411R3BDA.pdf |