창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E6R8BB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs GJM0335C1E6R8BB01 Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GJM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 6.8pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 490-11183-2 GJM0335C1E6R8BB01D-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GJM0335C1E6R8BB01D | |
관련 링크 | GJM0335C1, GJM0335C1E6R8BB01D Datasheet, Murata Electronics North America Distributor |
![]() | GCM0335C1ER30BD03D | 0.30pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1ER30BD03D.pdf | |
DSRHD04-13 | RECT BRIDGE 1A 400V T-MINIDIP | DSRHD04-13.pdf | ||
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![]() | FOD2712AR2V | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 1 Channel 8-SOIC | FOD2712AR2V.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF1961V | RES SMD 1.96K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1961V.pdf | |
![]() | RT1206CRD0775KL | RES SMD 75K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD0775KL.pdf | |
![]() | RT1206WRC0724K9L | RES SMD 24.9KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC0724K9L.pdf | |
![]() | Y112130K0000B0R | RES SMD 30KOHM 0.1% 0.16W J LEAD | Y112130K0000B0R.pdf | |
![]() | Y14730R02000D0W | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 2W 3637 | Y14730R02000D0W.pdf | |
![]() | YC324-FK-072K05L | RES ARRAY 4 RES 2.05K OHM 2012 | YC324-FK-072K05L.pdf | |
![]() | GX-H15BI | Inductive Proximity Sensor 0.165" (4.2mm) IP68 Module | GX-H15BI.pdf |