Global Power Technologies Group GP1M003A080PH
;;3.jpeg)
- 제조업체 부품 번호
- GP1M003A080PH
- 제조업 자
- Global Power Technologies Group
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GP1M003A080PH 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 607.99944
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GP1M003A080PH, we specialize in all series Global Power Technologies Group electronic components. GP1M003A080PH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M003A080PH, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GP1M003A080PH 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GP1M003A080PH 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M003A080PH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | GP1M003A080xH | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 696pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 7,200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M003A080PH | |
| 관련 링크 | GP1M00, GP1M003A080PH Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor | |
GP1M003A080PH 의 관련 제품
 | A120J15C0GF5UAA | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A120J15C0GF5UAA.pdf | |
 | VJ1206A471JBBAT4X | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A471JBBAT4X.pdf | |
 | VJ2225A681JBBAT4X | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A681JBBAT4X.pdf | |
 | KT2520F16369ACW28TAK | 16.369MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2mA Enable/Disable | KT2520F16369ACW28TAK.pdf | |
 | SIT1602AC-12-33E-33.000000D | OSC XO 3.3V 33MHZ OE | SIT1602AC-12-33E-33.000000D.pdf | |
 | SIT8008ACE2-25S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Standby | SIT8008ACE2-25S.pdf | |
 | 1N5927BP/TR8 | DIODE ZENER 12V 1.5W DO204AL | 1N5927BP/TR8.pdf | |
 | AISC-1210-12NJ-T | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 80 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-12NJ-T.pdf | |
.jpg) | 4N26S1(TA) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N26S1(TA).pdf | |
| SFH608-3X001 | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | SFH608-3X001.pdf | |
| CRCW1218787KFKEK | RES SMD 787K OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218787KFKEK.pdf | |
 | CMF556K5700BERE70 | RES 6.57K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF556K5700BERE70.pdf |
