Global Power Technologies Group GP1M006A070F

GP1M006A070F
제조업체 부품 번호
GP1M006A070F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
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내부 부품 번호EIS-GP1M006A070F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서GP1M006A070(F)H
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)700V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.65옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
전력 - 최대39W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)GP1M006A070F
관련 링크GP1M00, GP1M006A070F Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor
GP1M006A070F 의 관련 제품
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215nH Unshielded Wirewound Inductor 60A 0.29 mOhm Nonstandard FP1007R1-R22-R.pdf
2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) CM453232-2R7KL.pdf
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RZ01-1A3-D048 4-1415899-1.pdf
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RES SMD 9.1K OHM 5% 1/8W 0805 CRCW08059K10JNEC.pdf
RES ARRAY 13 RES 180 OHM 14SOIC 767141181GP.pdf
RES 124K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55124K00FKR6.pdf
THERMOSTAT 65 DEG NO TO-220 67F065-0400.pdf