Global Power Technologies Group GP1M007A090H
- 제조업체 부품 번호
- GP1M007A090H
- 제조업 자
- Global Power Technologies Group
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 900V 7A TO220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GP1M007A090H 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,092.81700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GP1M007A090H, we specialize in all series Global Power Technologies Group electronic components. GP1M007A090H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M007A090H, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GP1M007A090H 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GP1M007A090H 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M007A090H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | GP1M007A090(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1969pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1165-1 1560-1165-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M007A090H | |
| 관련 링크 | GP1M00, GP1M007A090H Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor | |
GP1M007A090H 의 관련 제품
 | UMTS 5 | FUSE BOARD MOUNT 5A 250VAC 2SMD | UMTS 5.pdf | |
 | 416F320X3ATR | 32MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X3ATR.pdf | |
 | SIT1602BC-13-25S-48.000000G | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V 4.2mA Standby (Power Down) | SIT1602BC-13-25S-48.000000G.pdf | |
 | ASTMHTV-13.000MHZ-XJ-E | 13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-13.000MHZ-XJ-E.pdf | |
 | CM453232-R22KL | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 665mA 250 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | CM453232-R22KL.pdf | |
 | 4494R-225 | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 790 mOhm 8-SMD | 4494R-225.pdf | |
 | RG2012V-1740-D-T5 | RES SMD 174 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-1740-D-T5.pdf | |
 | S3-0R2F1 | RES SMD 0.2 OHM 1% 3W 6327 | S3-0R2F1.pdf | |
| Y1624444R950T9W | RES SMD 444.95 OHM 1/5W 0805 | Y1624444R950T9W.pdf | |
,-Concave.jpg) | TC122-JR-07220RL | RES ARRAY 2 RES 220 OHM 0404 | TC122-JR-07220RL.pdf | |
 | 4114R-2-221 | RES ARRAY 13 RES 220 OHM 14DIP | 4114R-2-221.pdf | |
| CMF652M7400FKEK | RES 2.74M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M7400FKEK.pdf |
