창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A025HG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GP1M008A025FG, HG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 423pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A025HG | |
관련 링크 | GP1M00, GP1M008A025HG Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor |
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![]() | IXTA36N30T | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 | IXTA36N30T.pdf | |
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![]() | S1812-121F | 120nH Shielded Inductor 1.412A 100 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-121F.pdf | |
![]() | 1-1423156-2 | RELAY | 1-1423156-2.pdf | |
![]() | RT0603CRC0751RL | RES SMD 51 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC0751RL.pdf | |
![]() | CRCW06035K10JNEAHP | RES SMD 5.1K OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW06035K10JNEAHP.pdf | |
![]() | CRCW0201887KFNED | RES SMD 887K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201887KFNED.pdf | |
![]() | CW0105K000KE733 | RES 5K OHM 13W 10% AXIAL | CW0105K000KE733.pdf | |
![]() | HHM1904C1 | RF Balun 2.4GHz ~ 2.5GHz 50 / 75 Ohm 0402 (1005 Metric) | HHM1904C1.pdf |