창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A050HG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GP1M008A050FG, HG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1169-1 1560-1169-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A050HG | |
관련 링크 | GP1M00, GP1M008A050HG Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor |
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![]() | F55J3R0 | RES CHAS MNT 3 OHM 5% 55W | F55J3R0.pdf | |
![]() | RC1206DR-071R87L | RES SMD 1.87 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RC1206DR-071R87L.pdf | |
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![]() | ERJ-S1TF5112U | RES SMD 51.1K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF5112U.pdf | |
![]() | RCP2512W20R0JTP | RES SMD 20 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W20R0JTP.pdf | |
![]() | PD0810J5050S2HF | RF Power Divider 800MHz ~ 1GHz Isolation (Min) 17dB, 4° Imbalance MAX 0805 (2012 Metric) | PD0810J5050S2HF.pdf |