창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GP1M008A080(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A080H | |
관련 링크 | GP1M00, GP1M008A080H Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor |
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![]() | CBR06C708A5GAC | 0.70pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C708A5GAC.pdf | |
![]() | SIT8008BI-73-18S-25.000000D | OSC XO 1.8V 25MHZ ST | SIT8008BI-73-18S-25.000000D.pdf | |
![]() | MRF6V14300HSR3 | FET RF 100V 1.4GHZ NI780S | MRF6V14300HSR3.pdf | |
![]() | 1330-24G | 1.5µH Unshielded Inductor 560mA 220 mOhm Max 2-SMD | 1330-24G.pdf | |
![]() | RT0402BRE072K7L | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE072K7L.pdf | |
![]() | CRGH2010F6K04 | RES SMD 6.04K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F6K04.pdf | |
![]() | RG1608N-181-W-T5 | RES SMD 180 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-181-W-T5.pdf | |
![]() | RT1206WRC07619RL | RES SMD 619 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC07619RL.pdf | |
![]() | WW12FT1R10 | RES 1.1 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT1R10.pdf | |
![]() | CMF556K1900DHBF | RES 6.19K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF556K1900DHBF.pdf | |
![]() | Y0062100R000V0L | RES 100 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062100R000V0L.pdf |