Global Power Technologies Group GP1M012A060FH

GP1M012A060FH
제조업체 부품 번호
GP1M012A060FH
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Datesheet 다운로드
다운로드
GP1M012A060FH 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,601.23400
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of GP1M012A060FH, we specialize in all series Global Power Technologies Group electronic components. GP1M012A060FH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M012A060FH, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
GP1M012A060FH 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GP1M012A060FH 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GP1M012A060FH
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서GP1M012A060(F)H
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs650m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs39nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2308pF @ 25V
전력 - 최대53W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)GP1M012A060FH
관련 링크GP1M01, GP1M012A060FH Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor
GP1M012A060FH 의 관련 제품
12000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C EKYA6R3ELL123MLN3S.pdf
390µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C LXZ25VB391M8X20LL.pdf
12pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D120MLPAJ.pdf
470pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) SR202A471KAR.pdf
4700pF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) MKT1817247254.pdf
TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMB P6SMB6.8CAHE3/5B.pdf
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC AXIAL 1.5KE9.1A-B.pdf
44MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F44011ATT.pdf
32MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F320X3IDT.pdf
RES SMD 160 OHM 0.1% 1/10W 0603 RG1608P-161-B-T5.pdf
RES ARRAY 2 RES 100K OHM 1206 RM3216B-104/104-PBVW10.pdf
RES 8.45K OHM 1/4W 1% AXIAL RNMF14FTD8K45.pdf