창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M002A060FG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | GP2M002A060FG, HG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 17.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1193-1 1560-1193-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | GP2M002A060FG | |
관련 링크 | GP2M00, GP2M002A060FG Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor |
EEV-TG1J331M | 330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 180 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 125°C | EEV-TG1J331M.pdf | ||
25ZLK470M8X20 | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 25ZLK470M8X20.pdf | ||
08055C181KAT2A | 180pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C181KAT2A.pdf | ||
D330J25C0GL63L6R | 33pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D330J25C0GL63L6R.pdf | ||
LPS354-CEF | AC/DC CONVERTER 15V 350W | LPS354-CEF.pdf | ||
742792310 | 30 Ohm Impedance Ferrite Bead 1210 (3225 Metric) Surface Mount Signal Line 3A 1 Lines 50 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | 742792310.pdf | ||
HS75 40R F | RES CHAS MNT 40 OHM 1% 75W | HS75 40R F.pdf | ||
PATT0805E2492BGT1 | RES SMD 24.9K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PATT0805E2492BGT1.pdf | ||
RCP2512W510RGS2 | RES SMD 510 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W510RGS2.pdf | ||
MFR-25FRF52-221R | RES 221 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-221R.pdf | ||
TCH35P1R50JE | RES 1.5 OHM 35W 5% TO220 | TCH35P1R50JE.pdf | ||
RNF14FTC10R0 | RES 10 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC10R0.pdf |