Global Power Technologies Group GP2M007A080F

GP2M007A080F
제조업체 부품 번호
GP2M007A080F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
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내부 부품 번호EIS-GP2M007A080F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서GP2M007A080F
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.9옴 @ 3.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1410pF @ 25V
전력 - 최대50W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 1
다른 이름1560-1203-1
1560-1203-1-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)GP2M007A080F
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