Global Power Technologies Group GP2M020A050F

GP2M020A050F
제조업체 부품 번호
GP2M020A050F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
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내부 부품 번호EIS-GP2M020A050F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서GP2M020A050F, H
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs300m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs44nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)GP2M020A050F
관련 링크GP2M02, GP2M020A050F Datasheet, Global Power Technologies Group Distributor
GP2M020A050F 의 관련 제품
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50MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable XLH536050.000JS4I.pdf
150µH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 3.7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) 744045215.pdf
330µH Shielded Inductor 129mA 12 Ohm Max 1812 (4532 Metric) S1812-334J.pdf
RES CHAS MNT 3.3 OHM 5% 25W HS25 3R3 J.pdf
RES SMD 3.32K OHM 1% 1/5W 0402 CRCW04023K32FKEDHP.pdf
RES SMD 576 OHM 0.1% 1/10W 0805 RN73C2A576RBTG.pdf
RES 8.25M OHM 0.6W 1% AXIAL MRS25000C8254FCT00.pdf
RES 287 OHM 1W 1% AXIAL CMF60287R00FKRE70.pdf