Murata Electronics North America GRM0225C1E9R8DA03L
- 제조업체 부품 번호
- GRM0225C1E9R8DA03L
- 제조업 자
- Murata Electronics North America
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 9.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GRM0225C1E9R8DA03L 가격 및 조달
가능 수량
41150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5.94594
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GRM0225C1E9R8DA03L, we specialize in all series Murata Electronics North America electronic components. GRM0225C1E9R8DA03L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GRM0225C1E9R8DA03L, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GRM0225C1E9R8DA03L 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GRM0225C1E9R8DA03L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GRM0225C1E9R8DA03L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GRM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 9.8pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 01005(0402 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.009"(0.22mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 40,000 | |
| 다른 이름 | 490-13787-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GRM0225C1E9R8DA03L | |
| 관련 링크 | GRM0225C1, GRM0225C1E9R8DA03L Datasheet, Murata Electronics North America Distributor | |
GRM0225C1E9R8DA03L 의 관련 제품
 | ESMQ201VSN102MA25S | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMQ201VSN102MA25S.pdf | |
 | 824550500 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB | 824550500.pdf | |
 | 445W32K20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32K20M00000.pdf | |
 | SIT8008BI-22-33E-5.000000E | OSC XO 3.3V 5MHZ | SIT8008BI-22-33E-5.000000E.pdf | |
 | RGL41MHE3/96 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB | RGL41MHE3/96.pdf | |
 | BZM55C5V1-TR | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C5V1-TR.pdf | |
| 0925R-182J | 1.8µH Shielded Molded Inductor 217mA 950 mOhm Max Axial | 0925R-182J.pdf | |
 | S1008R-821J | 820nH Shielded Inductor 715mA 220 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008R-821J.pdf | |
| 5500R-825J | 8.2mH Unshielded Inductor 390mA 6.44 Ohm Max 2-SMD | 5500R-825J.pdf | |
.jpg) | RE1206FRE0756R2L | RES SMD 56.2 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0756R2L.pdf | |
| AA1206FR-073R01L | RES SMD 3.01 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-073R01L.pdf | |
 | RG2012N-97R6-W-T1 | RES SMD 97.6 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-97R6-W-T1.pdf |
