Murata Electronics North America GRM3196T1H621JD01D
- 제조업체 부품 번호
- GRM3196T1H621JD01D
- 제조업 자
- Murata Electronics North America
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 620pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
GRM3196T1H621JD01D 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of GRM3196T1H621JD01D, we specialize in all series Murata Electronics North America electronic components. GRM3196T1H621JD01D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GRM3196T1H621JD01D, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- GRM3196T1H621JD01D 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GRM3196T1H621JD01D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GRM3196T1H621JD01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | Obsolete / Discontinued | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Caps GRM3196T1H621JD01 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GRM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 620pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | T2H | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | GRM3196T1H621JD01D | |
| 관련 링크 | GRM3196T1, GRM3196T1H621JD01D Datasheet, Murata Electronics North America Distributor | |
GRM3196T1H621JD01D 의 관련 제품
 | VJ0805D4R3BLCAC | 4.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R3BLCAC.pdf | |
| TH3A105K016F6500 | 1µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1206 (3216 Metric) 6.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TH3A105K016F6500.pdf | |
.jpg) | ABM8-25.000MHZ-B2-T | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-25.000MHZ-B2-T.pdf | |
 | ASA1-19.200MHZ-L-T3 | 19.2MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 5mA Enable/Disable | ASA1-19.200MHZ-L-T3.pdf | |
 | SIT1602AIR7-XXE | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602AIR7-XXE.pdf | |
 | DR74-8R2-R | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.53A 44.1 mOhm Nonstandard | DR74-8R2-R.pdf | |
 | LK1608R47K-T | 470nH Shielded Multilayer Inductor 80mA 950 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LK1608R47K-T.pdf | |
 | LQH43CN3R9M33L | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 107 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43CN3R9M33L.pdf | |
.jpg) | CRGV0603F825K | RES SMD 825K OHM 1% 1/10W 0603 | CRGV0603F825K.pdf | |
 | ERJ-S03J682V | RES SMD 6.8K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J682V.pdf | |
 | CRCW20103R30FKEF | RES SMD 3.3 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20103R30FKEF.pdf | |
.jpg) | TNPW2512243RBEEG | RES SMD 243 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512243RBEEG.pdf |
