Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E
- 제조업체 부품 번호
- HAT2131R-EL-E
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 8SO
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
HAT2131R-EL-E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 726.48560
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of HAT2131R-EL-E, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. HAT2131R-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2131R-EL-E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- HAT2131R-EL-E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
HAT2131R-EL-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HAT2131R-EL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HAT2131R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 350V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 900mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 450mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HAT2131R-EL-E | |
| 관련 링크 | HAT213, HAT2131R-EL-E Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
HAT2131R-EL-E 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | C1206C333J3GACTU | 0.033µF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C333J3GACTU.pdf | |
 | CGL-10 | LIMITRON FAST ACTING FUSE | CGL-10.pdf | |
,-SC-63.jpg) | VS-6EWX06FNTRLHM3 | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK | VS-6EWX06FNTRLHM3.pdf | |
| 1N4148-A | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 | 1N4148-A.pdf | |
 | HL02220GTTR | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.317 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | HL02220GTTR.pdf | |
 | VLCF4028T-2R7N1R8-2 | 2.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.89A 49 mOhm Max Nonstandard | VLCF4028T-2R7N1R8-2.pdf | |
 | PM42S-560-RC | 56µH Shielded Wirewound Inductor 520mA 820 mOhm Max Nonstandard | PM42S-560-RC.pdf | |
.jpg) | AF1206JR-0716RL | RES SMD 16 OHM 5% 1/4W 1206 | AF1206JR-0716RL.pdf | |
 | RG3216P-3922-B-T5 | RES SMD 39.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3922-B-T5.pdf | |
| RG1608N-223-B-T5 | RES SMD 22K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-223-B-T5.pdf | |
 | FXR.08.A.DG | ANTENNA | FXR.08.A.DG.pdf | |
| DP11SVN15B30K | DP11S VER 15P NDET 30K M7*7MM | DP11SVN15B30K.pdf |
