Diodes Incorporated HBDM60V600W-7
- 제조업체 부품 번호
- HBDM60V600W-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이
- 간단한 설명
- TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
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HBDM60V600W-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HBDM60V600W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HBDM60V600W | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA, 600mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 65V, 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | HBDM60V600W7 HBDM60V600WDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HBDM60V600W-7 | |
| 관련 링크 | HBDM60, HBDM60V600W-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
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