Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
제조업체 부품 번호
HGT1S12N60A4DS
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 단일
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IGBT 600V 54A 167W D2PAK
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내부 부품 번호EIS-HGT1S12N60A4DS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서HGTP12N60A4D
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
카탈로그 페이지 1605 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
IGBT 유형-
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)600V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)54A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)96A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력 - 최대167W
스위칭 에너지55µJ(켜기), 50µJ(끄기)
입력 유형표준
게이트 전하78nC
Td(온/오프) @ 25°C17ns/96ns
테스트 조건390V, 12A, 10 옴, 15V
역회복 시간(trr)30ns
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
공급 장치 패키지D²PAK
표준 포장 50
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HGT1S12N60A4DS
관련 링크HGT1S12, HGT1S12N60A4DS Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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