Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D
제조업체 부품 번호
HGTG30N60B3D
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 단일
간단한 설명
IGBT 600V 60A 208W TO247
Datesheet 다운로드
다운로드
HGTG30N60B3D 가격 및 조달

가능 수량

1306 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 6,673.54000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of HGTG30N60B3D, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. HGTG30N60B3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTG30N60B3D, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
HGTG30N60B3D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
HGTG30N60B3D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HGTG30N60B3D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서HGTG30N60B3D
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Plating Material 20/Dec/2007
PCN 조립/원산지Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
카탈로그 페이지 1605 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
IGBT 유형-
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)600V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)60A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)220A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
전력 - 최대208W
스위칭 에너지550µJ(켜기), 680µJ(끄기)
입력 유형표준
게이트 전하170nC
Td(온/오프) @ 25°C36ns/137ns
테스트 조건480V, 30A, 3옴, 15V
역회복 시간(trr)55ns
패키지/케이스TO-247-3
실장 유형스루홀
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 30
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)HGTG30N60B3D
관련 링크HGTG30, HGTG30N60B3D Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
HGTG30N60B3D 의 관련 제품
220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 560 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C B43508A5227M80.pdf
560pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM188R72A561KA01D.pdf
1.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GRM1555C1H1R9CA01D.pdf
0.062µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) MKP385362016JB02W0.pdf
FUSE BOARD MOUNT 10A 125VAC/VDC 0251010.MRT1L.pdf
25MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-506 25.0000MA-C3: ROHS.pdf
180µH Unshielded Wirewound Inductor 620mA 890 mOhm Max Radial RL855-181K-RC.pdf
RES SMD 590 OHM 0.05% 1/10W 0603 RG1608N-5900-W-T5.pdf
RES 1K OHM 1W 1% AXIAL CMF601K0000FLEB.pdf
RES 680 OHM 5W 10% RADIAL CPR05680R0KE14.pdf
RES 100 OHM 0.3W 0.01% AXIAL Y1749100R000T9L.pdf
MILITARY THERMOSTAT 350000120131.pdf