창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN1B01FU-Y(L,F,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | HN1B01F | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | US6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | HN1B01FU-Y(LFT)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | HN1B01FU-Y(L,F,T) | |
관련 링크 | HN1B01FU, HN1B01FU-Y(L,F,T) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | C0603C104J8RACTU | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C104J8RACTU.pdf | |
![]() | C907U510JZSDCA7317 | 51pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U510JZSDCA7317.pdf | |
![]() | VJ0402D7R5BXAAC | 7.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D7R5BXAAC.pdf | |
![]() | MA101A330KAA | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.090" Dia x 0.160" L(2.29mm x 4.07mm) | MA101A330KAA.pdf | |
![]() | C901U180JUSDAAWL35 | 18pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U180JUSDAAWL35.pdf | |
![]() | ASTMHTV-13.000MHZ-XC-E-T | 13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-13.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | 1539M02 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 14A 8 mOhm Max Radial | 1539M02.pdf | |
![]() | RMCF0603FT12K0 | RES SMD 12K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT12K0.pdf | |
![]() | MMF50SBRD9K1 | RES SMD 9.1K OHM 0.1% 1/2W MELF | MMF50SBRD9K1.pdf | |
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