창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN1D02FE,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | HN1D02FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 2쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 1.6ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | HN1D02FELFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | HN1D02FE,LF | |
관련 링크 | HN1D0, HN1D02FE,LF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | MGA-636P8-BLKG | RF Amplifier IC General Purpose 450MHz ~ 1.5GHz 8-DFN (2x2) | MGA-636P8-BLKG.pdf |