창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN4B01JE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | HN4B01JE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP(에미터 결합) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 10MA, 100MA | |
전력 - 최대 | 100mW | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-553 | |
공급 장치 패키지 | ESV | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | HN4B01JE (TE85L,F) HN4B01JE(TE85LF)TR HN4B01JETE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | HN4B01JE(TE85L,F) | |
관련 링크 | HN4B01JE, HN4B01JE(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | UTM1E470MPD1TD | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UTM1E470MPD1TD.pdf | |
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![]() | GRM155D80J225ME95D | 2.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6T 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155D80J225ME95D.pdf | |
![]() | VJ0805D1R7DXCAJ | 1.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R7DXCAJ.pdf | |
![]() | C1608C0G1H510J | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H510J.pdf | |
![]() | 1.5KA22AHE3/73 | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC 1.5KA | 1.5KA22AHE3/73.pdf | |
![]() | 416F40035CDR | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035CDR.pdf | |
![]() | 1210R-121G | 120nH Unshielded Inductor 971mA 220 mOhm Max 2-SMD | 1210R-121G.pdf | |
![]() | CRGH2512J820R | RES SMD 820 OHM 5% 2W 2512 | CRGH2512J820R.pdf | |
![]() | TNPU0805511RAZEN00 | RES SMD 511 OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU0805511RAZEN00.pdf | |
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