Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF
,-SC-88A,-SOT-353.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- HN4K03JUTE85LF
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
HN4K03JUTE85LF 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 152.89567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of HN4K03JUTE85LF, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. HN4K03JUTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN4K03JUTE85LF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- HN4K03JUTE85LF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
HN4K03JUTE85LF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HN4K03JUTE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HN4K03JU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 10mA, 2.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8.5pF @ 3V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | |
| 공급 장치 패키지 | USV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HN4K03JUTE85LF | |
| 관련 링크 | HN4K03J, HN4K03JUTE85LF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
HN4K03JUTE85LF 의 관련 제품
.jpg) | 478LBB080M2DF | 4700µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 52.91 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 478LBB080M2DF.pdf | |
 | LXZ50VB102M16X25LL | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | LXZ50VB102M16X25LL.pdf | |
 | 824550511 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB | 824550511.pdf | |
 | RU 3AV1 | DIODE GEN PURP 600V 1.5A AXIAL | RU 3AV1.pdf | |
 | 3EZ20DE3/TR12 | DIODE ZENER 20V 3W DO204AL | 3EZ20DE3/TR12.pdf | |
| XQAAWT-02-0000-00000L3F5 | LED Lighting Xlamp® XQ-A White, Neutral 4250K 3V 175mA 100° 0606 (1616 Metric) | XQAAWT-02-0000-00000L3F5.pdf | |
| 2474-32J | 390µH Unshielded Molded Inductor 680mA 770 mOhm Max Axial | 2474-32J.pdf | |
| ERJ-L1WUF83MU | RES SMD 0.083 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-L1WUF83MU.pdf | |
 | RG1608V-2150-P-T1 | RES SMD 215 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-2150-P-T1.pdf | |
 | 752091561GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 560 OHM 9SRT | 752091561GPTR13.pdf | |
| 42J2R2E | RES 2.2 OHM 2W 5% AXIAL | 42J2R2E.pdf | |
| ARD10012C | RF Switch IC General Purpose SPDT 18GHz 50 Ohm | ARD10012C.pdf |
