AVX Corporation HQCEJA221JAT6A

HQCEJA221JAT6A
제조업체 부품 번호
HQCEJA221JAT6A
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
220pF 3600V(3.6kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 3838(9797 미터법) 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm)
Datesheet 다운로드
다운로드
HQCEJA221JAT6A 가격 및 조달

가능 수량

1194 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 23,158.58680
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of HQCEJA221JAT6A, we specialize in all series AVX Corporation electronic components. HQCEJA221JAT6A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HQCEJA221JAT6A, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
HQCEJA221JAT6A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
HQCEJA221JAT6A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HQCEJA221JAT6A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서Hi-Q High RF Power
제품 교육 모듈HQ Series Hi-Q® Capacitors
Component Solutions for Smart Meter Applications
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 2126 (KR2011-KO PDF)
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체AVX Corporation
계열Hi-Q®
포장트레이 - 와플
정전 용량220pF
허용 오차±5%
전압 - 정격3600V(3.6kV)
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품RF, 마이크로웨이브, 고주파수
등급-
패키지/케이스3838(9797 미터법)
크기/치수0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.170"(4.32mm)
리드 간격-
특징높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압
리드 유형-
표준 포장 1
다른 이름478-4567
HQCEJA221JAT9A
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)HQCEJA221JAT6A
관련 링크HQCEJA2, HQCEJA221JAT6A Datasheet, AVX Corporation Distributor
HQCEJA221JAT6A 의 관련 제품
82µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C UPZ2D820MPD.pdf
3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C UTS1H3R3MDD1TE.pdf
0.022µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) 08055E223MAT2A.pdf
0.012µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K123K15X7RK5TH5.pdf
8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D8R2CXAAP.pdf
1200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) VJ1808A122KBBAT4X.pdf
28.63636MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 7B-28.63636MBBK-T.pdf
DIODE GEN PURP 2.4KV 400A DO205 VS-SD400N24PC.pdf
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 SI7192DP-T1-GE3.pdf
RES SMD 52.3 OHM 0.1% 1/16W 0402 ERA-2AEB52R3X.pdf
RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 RG2012N-1022-B-T5.pdf
RES SMD 1.27KOHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012N-1271-W-T5.pdf