Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13
- 제조업체 부품 번호
- HTMN5130SSD-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
HTMN5130SSD-13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 997.60320
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of HTMN5130SSD-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. HTMN5130SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTMN5130SSD-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- HTMN5130SSD-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
HTMN5130SSD-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HTMN5130SSD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HTMN5130SSD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 218.7pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HTMN5130SSD-13 | |
| 관련 링크 | HTMN513, HTMN5130SSD-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
HTMN5130SSD-13 의 관련 제품
 | B43564A2688M3 | 6800µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 15000 Hrs @ 85°C | B43564A2688M3.pdf | |
 | VJ0402D2R1CXAAC | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1CXAAC.pdf | |
 | GRM319R61E105KC36D | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM319R61E105KC36D.pdf | |
 | ABLS2-8.912MHZ-B4Y-T | 8.912MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-8.912MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | SIT9002AC-03H18DO | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V | SIT9002AC-03H18DO.pdf | |
 | SRF2012-901YA | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 900 Ohm @ 100MHz 100mA DCR 880 mOhm | SRF2012-901YA.pdf | |
 | LF1206C202R-10 | 915 Ohm Impedance Ferrite Bead 1206 (3216 Metric) Surface Mount Power, Signal Line 300mA 1 Lines 500 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | LF1206C202R-10.pdf | |
 | ERJ-8CWJR020V | RES SMD 0.02 OHM 5% 1W 1206 | ERJ-8CWJR020V.pdf | |
.jpg) | CRCW0603665RFKEBHP | RES SMD 665 OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW0603665RFKEBHP.pdf | |
-4.jpg) | RAVF164DJT13R0 | RES ARRAY 4 RES 13 OHM 1206 | RAVF164DJT13R0.pdf | |
 | CW01033R00KE73 | RES 33 OHM 13W 10% AXIAL | CW01033R00KE73.pdf | |
| Y0058232R000F0L | RES 232 OHM 0.3W 1% AXIAL | Y0058232R000F0L.pdf |
