창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HUF75545S3ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | HUF75545P3/S3/S3S | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 270W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | HUF75545S3ST-ND HUF75545S3STTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | HUF75545S3ST | |
관련 링크 | HUF755, HUF75545S3ST Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | AA0603FR-07392KL | RES SMD 392K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-07392KL.pdf | |
![]() | RG2012V-1021-W-T1 | RES SMD 1.02KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-1021-W-T1.pdf | |
![]() | RCP1206B39R0GET | RES SMD 39 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B39R0GET.pdf | |
![]() | HAL106JQ-C | IC HALL EFFECT SWITCH UNIPO TO92 | HAL106JQ-C.pdf |