창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HUF76629D3ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | HUF76629D3, HUF76629D3S | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1285pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | HUF76629D3ST-ND HUF76629D3STTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | HUF76629D3ST | |
관련 링크 | HUF766, HUF76629D3ST Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | 473PPB162K | 0.047µF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.433" W (32.00mm x 11.00mm) | 473PPB162K.pdf | |
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AT-27.000MAPJ-T | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-27.000MAPJ-T.pdf | ||
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![]() | 590BD-BDG | 125MHz ~ 214.999MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | 590BD-BDG.pdf | |
![]() | DZ2J18000L | DIODE ZENER 18V 200MW SMINI2 | DZ2J18000L.pdf | |
![]() | RP73D1J36R5BTG | RES SMD 36.5 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J36R5BTG.pdf | |
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![]() | HMC247 | RF IC Phase Shifter General Purpose 5GHz ~ 18GHz Die | HMC247.pdf | |
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