Fairchild Semiconductor HUF76629D3ST_F085
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- HUF76629D3ST_F085
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
HUF76629D3ST_F085 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 527.81414
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of HUF76629D3ST_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. HUF76629D3ST_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76629D3ST_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- HUF76629D3ST_F085 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
HUF76629D3ST_F085 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HUF76629D3ST_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HUF76629D3ST_F085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1280pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | HUF76629D3ST_F085-ND HUF76629D3ST_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HUF76629D3ST_F085 | |
| 관련 링크 | HUF76629, HUF76629D3ST_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
HUF76629D3ST_F085 의 관련 제품
 | EMLE350ADA4R7ME73G | 4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 7000 Hrs @ 105°C | EMLE350ADA4R7ME73G.pdf | |
 | VJ0402D0R5BXAAJ | 0.50pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R5BXAAJ.pdf | |
 | 18252A122JAT2A | 1200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.180" L x 0.250" W(4.57mm x 6.35mm) | 18252A122JAT2A.pdf | |
 | 402F25011CJR | 25MHz ±10ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25011CJR.pdf | |
| SIT9003AC-13-33DQ-46.08000T | OSC XO 3.3V 46.08MHZ SD -1.0% | SIT9003AC-13-33DQ-46.08000T.pdf | |
| IRD3CH53DF6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | IRD3CH53DF6.pdf | |
| ELC-18E103L | 10mH Shielded Wirewound Inductor 330mA 2.7 Ohm Radial | ELC-18E103L.pdf | |
 | TXS2SA-LT-3V | TXS RELAY 2 FORM C 3V | TXS2SA-LT-3V.pdf | |
 | RN73C2A6R81BTDF | RES SMD 6.81 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A6R81BTDF.pdf | |
| SFR2500002009JR500 | RES 20 OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500002009JR500.pdf | |
 | CMF5549K900DHBF | RES 49.9K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5549K900DHBF.pdf | |
 | CP00051R000KE14 | RES 1 OHM 5W 10% AXIAL | CP00051R000KE14.pdf |
