Fairchild Semiconductor HUFA76409D3ST

HUFA76409D3ST
제조업체 부품 번호
HUFA76409D3ST
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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내부 부품 번호EIS-HUFA76409D3ST
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서HUFA76409D3, HUFA76409D3ST
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, UltraFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs63m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds485pF @ 25V
전력 - 최대49W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름HUFA76409D3ST-ND
HUFA76409D3STTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HUFA76409D3ST
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