Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8T_F085

HUFA76413DK8T_F085
제조업체 부품 번호
HUFA76413DK8T_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Datesheet 다운로드
다운로드
HUFA76413DK8T_F085 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 776.74672
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of HUFA76413DK8T_F085, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. HUFA76413DK8T_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUFA76413DK8T_F085, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
HUFA76413DK8T_F085 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
HUFA76413DK8T_F085 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HUFA76413DK8T_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서HUFA76413DK8T_F085
비디오 파일Driving Automotive Technology
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, UltraFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.1A
Rds On(최대) @ Id, Vgs49m옴 @ 5.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds620pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)HUFA76413DK8T_F085
관련 링크HUFA76413, HUFA76413DK8T_F085 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
HUFA76413DK8T_F085 의 관련 제품
2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) C0603C0G1H2R2C030BA.pdf
56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CC0805FRNPO9BN560.pdf
10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D100GLXAP.pdf
0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) BFC237178683.pdf
FUSE 36KV 25AMP 2" DIN 36TDQSJ25.pdf
FUSE BRD MNT 1.6A 125VAC/VDC SMD SSQ 1.6/5K.pdf
13MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445C33A13M00000.pdf
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB ES3C-M3/57T.pdf
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 DMG963030R.pdf
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM RN1104MFV,L3F.pdf
100nH Unshielded Molded Inductor 895mA 130 mOhm Max Axial 0819R-00G.pdf
RES SMD 3.3K OHM 0.5% 1/4W 1210 RT1210DRD073K3L.pdf