Infineon Technologies IPA028N08N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPA028N08N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPA028N08N3 G 가격 및 조달
가능 수량
1976 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,164.19100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPA028N08N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPA028N08N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA028N08N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPA028N08N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPA028N08N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA028N08N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPA028N08N3 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 89A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 89A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA028N08N3G IPA028N08N3GXKSA1 SP000446770 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPA028N08N3 G | |
| 관련 링크 | IPA028, IPA028N08N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPA028N08N3 G 의 관련 제품
 | UPJ0J392MHD6 | 3900µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ0J392MHD6.pdf | |
 | S222K59Y5PR63K7R | 2200pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.591" Dia(15.00mm) | S222K59Y5PR63K7R.pdf | |
 | C1005X8R1H471M050BA | 470pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X8R1H471M050BA.pdf | |
.jpg) | 102S42E3R0BV4E | 3pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E3R0BV4E.pdf | |
 | BFC236945273 | 0.027µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.165" W (12.50mm x 4.20mm) | BFC236945273.pdf | |
 | MKP1839322404 | 0.022µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.256" Dia x 0.551" L (6.50mm x 14.00mm) | MKP1839322404.pdf | |
 | 0263.500MXHF | FUSE BRD MNT 500MA 250VAC AXIAL | 0263.500MXHF.pdf | |
.jpg) | SMLJ7.0CE3/TR13 | TVS DIODE 7VWM 13.3VC SMCJ | SMLJ7.0CE3/TR13.pdf | |
 | SIT3809AI-2-28EX | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 36mA Enable/Disable | SIT3809AI-2-28EX.pdf | |
 | SIT3807AC-D-28SM | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Standby | SIT3807AC-D-28SM.pdf | |
 | SMAJ5935CE3/TR13 | DIODE ZENER 27V 3W DO214AC | SMAJ5935CE3/TR13.pdf | |
 | 55075-00-02-C | Magnetic Hall Effect Sensor Ferrous Metals, Gear Tooth Digital Wire Leads with Connector Cylinder, Threaded - M12 | 55075-00-02-C.pdf |
