창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA030N10N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPA030N10N3 G | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 79A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 79A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 41W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA030N10N3G IPA030N10N3GXKSA1 SP000464914 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPA030N10N3 G | |
관련 링크 | IPA030, IPA030N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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CMF55887K00BHBF | RES 887K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55887K00BHBF.pdf | ||
P51-200-S-G-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-G-D-4.5V-000-000.pdf |